A kínai ChangXin Memory Technologies (CXMT) memóriachip-gyártó jelentős előrelépésről számolt be egy új chipstruktúra fejlesztésében. A memóriasűrűség növelését lehetővé tevő technológián versenytársai, a Samsung Electronics és az SK Hynix is dolgoznak. A kínai memóriachip-gyártó az év végéig tervezi bemutatni DDR5 RDIMM memóriamoduljának új generációját.
A CXMT közlése szerint struktúrájuk kialakításának alapja a vállalat által fejlesztett Vertical Surrounding Gate (VSG) tranzisztor. Jelentősen csökken a cellák területe, ami növeli a tárolási sűrűséget.
Higgy magadban és indíts Erste Future befektetést!
A jelen dokumentumban foglalt információk az Erste Befektetési Zrt. (székhely: 1138 Budapest, Népfürdő u. 24-26.; tev. eng. szám: E-III/324/2008 és III/75.005-19/2002; tőzsdetagság: BÉT Zrt.; a továbbiakban: Társaság) által hitelesnek tartott forrásokon alapulnak, de azokért a Társaság szavatosságot vagy felelősséget nem vállal. A jelen dokumentumban foglaltak nem minősíthetők befektetésre való ösztönzésnek, befektetési tanácsadásnak, értékpapír jegyzésére, vételére, eladására vonatkozó felhívásnak vagy ajánlatnak. Felhívjuk szíves figyelmét arra, hogy a múltbeli teljesítmények, illetve jövőbeli becslések nem nyújtanak garanciát a jövőbeli teljesítményre nézve. A tőkepiaci és makrogazdasági helyzetet, a befektetések és azok hozamai alakulását olyan tényezők alakítják, melyre a Társaságnak nincs befolyása, a befektető által hozott döntés következményei a Társaságra nem háríthatók át. A jelen dokumentumban foglaltak – teljes vagy részleges – felhasználása, többszörözése, publikálása, átdolgozása, terjesztése kizárólag a Társaság előzetes írásos engedélyével lehetséges. A jelen dokumentumban foglaltak kiadásuk időpontjában érvényesek. További részletek:Erste Market Dokumentumok – Erste Market oldalon, illetve a Társaság ügyletek előtti tájékoztatásról szóló hirdetményében.
